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UK funding (148 843 £) : Une étude de faisabilité pour le développement de dispositifs RF haute fréquence à base de GaN Ukri01/10/2017 UK Research and Innovation, Royaume Uni
Vue d’ensemble
Texte
Une étude de faisabilité pour le développement de dispositifs RF haute fréquence à base de GaN
| Abstract | Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details. |
| Category | Collaborative R&D |
| Reference | 103440 |
| Status | Closed |
| Funded period start | 01/10/2017 |
| Funded period end | 30/11/2018 |
| Funded value | £148 843,00 |
| Source | https://gtr.ukri.org/projects?ref=103440 |
Participating Organisations
| COMPOUND SEMICONDUCTOR CENTRE LIMITED |
£87 500,00 |
| UNIVERSITY OF GLASGOW |
£5 759,00 |
| CARDIFF UNIVERSITY |
£55 584,00 |
Cette annonce se réfère à une date antérieure et ne reflète pas nécessairement l’état actuel. L’état actuel est présenté à la page suivante : Compound Semiconductor Centre Ltd., Cardiff, Royaume Uni.